Las técnicas para diminuir el efecto del blooming, se denominan técnicas anti-blooming, las más comunes son las denominadas estrucutras de drenador "overflow" que son incorporados durante el proceso de fabricación. Dos de las estructuras más comunes de drenador son la VOD (Vertical overflow drain) y la LOD (Lateral overflow drain).

VOD. Son dispositivos que incorporadas barreras de potencial electrostático en el substraro. La barrera se diseña tal que el nivel sea menor que la barrera entre pixels. Cuando la carga almacenada excede este nivel se derrama verticalmente a través del silicio y es barrida por las bias hacia el substrato. Las desventajas de esta estructura son la complejidad del dispositivo, costes adicionales y, normalmente reducción de la capacidad de pozo llevando a un rango dinámico menor.

LOD. Uno de los problemas con la estructura VOD es que tiene una capacidad limitada en la cantidad de sobreexposición a la que se puede someter. Para las estructuras más exigentes, se usa la estructura LOD. El LOD se realiza en la superficie del silicio donde se encuentra el resto de las estructuras. En este caso se crea una barrera adyacente a los pixels integrados y la carga se desplaza dentro del drenador lateralmente y barrido fuera del chip. La desventaja de tal estructura es que hay que reducir el factor de llenado o controlar la apertura para reducir la fotosensibilidad. El siguiente applet muestra la operación de un LOD para prevenir el blooming del CCD.